Intel SSD DС P3520 и P3320 стали первыми продуктами Intel, использующими многослойную память 3D NAND, произведенную на мощностях IMFT — совместного предприятия Intel и Micron. Чипы 3D NAND, упакованные в стек в пределах общего корпуса, обладают несколькими преимуществами по сравнению с распространенной однослойной памятью.
В список достоинств 3D NAND входит как увеличенное быстродействие (в 1,3 раза, по данным Intel), так и более высокая энергоэффективность и отказоустойчивость, а также новые механизмы обеспечения целостности данных.
Что касается конкретной реализации 3D NAND от Intel, то производитель считает свои чипы наиболее плотными по сравнению с продуктами конкурента. Samsung в текущем поколении производит 48-слойные чипы (3D V-NAND, в терминологии компании) емкостью 256 Гбит по техпроцессу 40 нм. Для продукции Intel пока известно лишь количество слоев в стеке — 32, но размер транзистора, очевидно, должен быть более крупным, чем 20 нм, характеризующие однослойную память NAND, которую ныне поставляет IMFT.
